太赫茲固態(tài)放大器研究進展
作者：郭方金; 王維波; 陳忠飛; 孫洪錚; 周細(xì)磅; 陶洪琪 南京電子器件研究所; 江蘇南京210016
摘要：隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,晶體管特征頻率不斷提高,已經(jīng)進入到太赫茲(THz)頻段,使得固態(tài)器件可以在THz頻段工作。THz放大器可以將微弱的信號進行放大,在THz系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用。介紹了基于氮化鎵(Gallium Nitride,GaN)高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)器件、磷化銦(Indium Phosphide,InP)HEMT器件和InP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管/雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(InP Heterojunction Bipolar Transistor/Double Heterojunction Bipolar Transistor,HBT/DHBT)器件的THz單片放大器研究進展。
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