C波段200W高增益GaN功率模塊
摘要：報(bào)道了一款采用0.35μm GaN HEMT工藝的C波段高增益功率模塊。模塊采用三級(jí)放大電路拓?fù)?正負(fù)電源結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。末級(jí)匹配電路采用低損耗高Q值的陶瓷片實(shí)現(xiàn),通過一級(jí)L-C阻抗變換和兩級(jí)威爾金森功分器,既進(jìn)行了阻抗匹配又實(shí)現(xiàn)了功率合成。前級(jí)和中間級(jí)匹配電路采用高集成GaAs匹配電路實(shí)現(xiàn),通過優(yōu)化前級(jí)和中間級(jí)的推動(dòng)比和級(jí)間匹配電路,降低了驅(qū)動(dòng)級(jí)功耗。整個(gè)模塊采用低熱膨脹率、高熱導(dǎo)率的銅-鉬-銅(CMC)載板實(shí)現(xiàn),解決了管芯熱匹配和熱傳導(dǎo)的問題。通過這三種技術(shù)途徑有效實(shí)現(xiàn)了模塊的高效率、小型化和低成本。測(cè)試表明,該器件在5.2~5.9GHz頻帶內(nèi)、28V工作電壓下,飽和輸出功率達(dá)到了200W以上,此時(shí)功率增益為26dB、典型功率附加效率(PAE)為50%。
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固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志
固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志， 雙月刊，本刊重視學(xué)術(shù)導(dǎo)向，堅(jiān)持科學(xué)性、學(xué)術(shù)性、先進(jìn)性、創(chuàng)新性，刊載內(nèi)容涉及的欄目：三維集成射頻微系統(tǒng)(專欄)、器件物理與器件模擬、射頻微波與太赫茲、光電子學(xué)、硅微電子學(xué)、材料與工藝、研究簡(jiǎn)訊等。于1981年經(jīng)新聞總署批準(zhǔn)的正規(guī)刊物。
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