摘要：用有限時域差分方法（FDTD）對比研究了下列二維光子晶體的帶隙：第1組,半徑r=0.2μm圓柱,折射率n=4,晶格常數a=0.4μm;第2組,半徑為r=0.2μm圓柱,折射率n=4,晶格常數a=0.6μm;第3組,內半徑r1=0.1μm,外半徑r2=0.2μm,折射率n=4,晶格常數a=0.4μm;第4組,內半徑r1=0.1μm,外半徑r2=0.2μm,折射率n=4,晶格常數a=0.6μm,并且對每一組光子晶體進行挖孔操作,然后比較不同填充率對光子晶體材料的帶隙的影響,以及同種材料和結構、挖孔對帶隙的影響。對于緊密排列的二維光子晶體,挖孔會使帶隙向長波方向移動;對于填充率小的光子晶體,或者環(huán)形柱二維光子晶體,中間挖孔不影響帶隙的范圍。