摘要：本文主要介紹了通過(guò)步進(jìn)式光刻、反相剝離和F基等離子體刻蝕工藝在晶元級(jí)si襯底上制備SiO2圖形的過(guò)程，在6in（15．24cm）Si襯底上實(shí)現(xiàn)了均勻的周期分別為1．0μm和1．6μm、深寬比分別為2．3和1．4的SiO2周期性掩膜．尤其在周期為1μm的條件下，窗口通過(guò)過(guò)曝光和反相剝離工藝減小到330nm，該尺寸超越了試驗(yàn)用步進(jìn)式光刻設(shè)備的極限精度尺寸．在通過(guò)HF和KOH溶液處理后，得到了帶有V型槽和較光滑側(cè)壁的SiO2圖形的Si襯底，該圖形適用于Ⅲ-V半導(dǎo)體通過(guò)深寬比位錯(cuò)捕獲技術(shù)的材料生長(zhǎng)．這種均勻的晶元級(jí)圖案制備方案促進(jìn)了圖形化Si襯底技術(shù)和螄基Ⅲ-V半導(dǎo)體異質(zhì)外延．