期刊簡介
Journal Title：Semiconductor Science And Technology
Devoted to semiconductor research, Semiconductor Science and Technology's multidisciplinary approach reflects the far-reaching nature of this topic.
The scope of the journal covers fundamental and applied experimental and theoretical studies of the properties of non-organic, organic and oxide semiconductors, their interfaces and devices, including:
fundamental properties
materials and nanostructures
devices and applications
fabrication and processing
new analytical techniques
simulation
emerging fields:
materials and devices for quantum technologies
hybrid structures and devices
2D and topological materials
metamaterials
semiconductors for energy
flexible electronics.
中文簡介
《半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)》致力于半導(dǎo)體研究，其多學(xué)科方法反映了該主題的深遠(yuǎn)性質(zhì)。
該期刊的范圍涵蓋非有機(jī)、有機(jī)和氧化物半導(dǎo)體及其界面和器件的性質(zhì)的基礎(chǔ)和應(yīng)用實(shí)驗(yàn)和理論研究，包括：
基本性質(zhì)
材料和納米結(jié)構(gòu)
器件和應(yīng)用
制造和加工
新分析技術(shù)
模擬
新興領(lǐng)域：
量子技術(shù)材料和器件
混合結(jié)構(gòu)和器件
2D和拓?fù)洳牧?/p>
超材料
能源半導(dǎo)體
柔性電子。
期刊點(diǎn)評
Semiconductor Science And Technology創(chuàng)刊于1986年，由IOP Publishing Ltd.出版商出版，收稿方向涵蓋工程技術(shù) - 材料科學(xué)：綜合全領(lǐng)域，此期刊水平偏中等偏靠后，在所屬細(xì)分領(lǐng)域中專業(yè)影響力一般，過審相對較易，如果您文章質(zhì)量佳，選擇此期刊，發(fā)表機(jī)率較高。平均審稿速度 一般,3-6周 ，影響因子指數(shù)1.9，該期刊近期沒有被列入國際期刊預(yù)警名單，廣大學(xué)者值得一試。
中科院分區(qū)（數(shù)據(jù)版本：2023年12月升級版）
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
名詞解釋：
中科院分區(qū)也叫中科院JCR分區(qū)，基礎(chǔ)版分為13個大類學(xué)科，然后按照各類期刊影響因子分別將每個類別分為四個區(qū)，影響因子5%為1區(qū)，6%-20%為2區(qū)，21%-50%為3區(qū)，其余為4區(qū)。
中科院分區(qū)（數(shù)據(jù)版本：2022年12月升級版）
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū)（數(shù)據(jù)版本：2021年12月舊的升級版）
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū)（數(shù)據(jù)版本：2021年12月基礎(chǔ)版）
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū)（數(shù)據(jù)版本：2021年12月升級版）
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū)（數(shù)據(jù)版本：2020年12月舊的升級版）
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
WOS分區(qū)（數(shù)據(jù)版本：2023-2024年最新版）
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 211 / 352 |
40.2% |
| 學(xué)科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 301 / 438 |
31.4% |
| 學(xué)科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 50 / 79 |
37.3% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 238 / 354 |
32.91% |
| 學(xué)科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 293 / 438 |
33.22% |
| 學(xué)科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 51 / 79 |
36.08% |
名詞解釋：
WOS即Web of Science，是全球獲取學(xué)術(shù)信息的重要數(shù)據(jù)庫，Web of Science包括自然科學(xué)、社會科學(xué)、藝術(shù)與人文領(lǐng)域的信息，來自全世界近9,000種最負(fù)盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學(xué)術(shù)會議多學(xué)科內(nèi)容。給期刊分區(qū)時會按照某一個學(xué)科領(lǐng)域劃分，根據(jù)這一學(xué)科所有按照影響因子數(shù)值降序排名，然后平均分成4等份，期刊影響因子值高的就會在高分區(qū)中，最后的劃分結(jié)果分別是Q1，Q2，Q3，Q4，Q1代表質(zhì)量最高。
CiteScore分區(qū)（數(shù)據(jù)版本：2024年最新版）
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 | ||||||||||||||||||||
| 4.3 | 0.411 | 0.741 |
|
名詞解釋：
CiteScore：衡量期刊所發(fā)表文獻(xiàn)的平均受引用次數(shù)。
SJR:SCImago 期刊等級衡量經(jīng)過加權(quán)后的期刊受引用次數(shù)。引用次數(shù)的加權(quán)值由施引期刊的學(xué)科領(lǐng)域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來源出版物的標(biāo)準(zhǔn)化影響將實(shí)際受引用情況對照期刊所屬學(xué)科領(lǐng)域中預(yù)期的受引用情況進(jìn)行衡量。
其他數(shù)據(jù)
| 是否OA開放訪問： | h-index： | 年文章數(shù)： |
| 未開放 | 99 | 193 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影響因子（數(shù)據(jù)來源于搜索引擎）: | 開源占比（OA被引用占比）： |
| 10.23% | 1.9 | 0.07... |
| 研究類文章占比：文章 ÷（文章 + 綜述） | 期刊收錄： | 中科院《國際期刊預(yù)警名單（試行）》名單： |
| 95.85% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子)：
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量：
歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù)：
歷年自引數(shù)據(jù)：
發(fā)文統(tǒng)計
2023-2024國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計：
| 國家/地區(qū) | 數(shù)量 |
| CHINA MAINLAND | 257 |
| USA | 139 |
| India | 121 |
| GERMANY (FED REP GER) | 95 |
| South Korea | 90 |
| England | 64 |
| Japan | 64 |
| France | 55 |
| Russia | 52 |
| Taiwan | 31 |
2023-2024機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計：
| 機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 63 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... | 47 |
| RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES | 42 |
| CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE ... | 41 |
| UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 34 |
| IMEC | 20 |
| SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY (SKKU) | 20 |
| FERDINAND-BRAUN-INSTITUT LEIBNIZ... | 18 |
| PEKING UNIVERSITY | 18 |
| XIDIAN UNIVERSITY | 17 |
近年引用統(tǒng)計：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| APPL PHYS LETT | 1311 |
| J APPL PHYS | 761 |
| PHYS REV B | 700 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 412 |
| PHYS REV LETT | 332 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 277 |
| SEMICOND SCI TECH | 276 |
| NANO LETT | 236 |
| THIN SOLID FILMS | 162 |
| J CRYST GROWTH | 150 |
近年被引用統(tǒng)計：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| J APPL PHYS | 337 |
| SEMICOND SCI TECH | 276 |
| PHYS REV B | 205 |
| MATER RES EXPRESS | 191 |
| APPL PHYS LETT | 185 |
| JPN J APPL PHYS | 169 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 145 |
| SCI REP-UK | 134 |
| APPL SURF SCI | 118 |
| J MATER SCI-MATER EL | 118 |
近年文章引用統(tǒng)計：
| 文章名稱 | 數(shù)量 |
| beta-Ga2O3 for wide-bandgap elec... | 59 |
| Phase-change materials for non-v... | 53 |
| Metal oxide nanostructures for s... | 29 |
| How to control defect formation ... | 28 |
| Terahertz radiation detectors: t... | 21 |
| Structural, electronic and phono... | 19 |
| Wide-bandgap, low-bandgap, and t... | 18 |
| Biaxial strain tuned electronic ... | 17 |
| A comprehensive device modelling... | 15 |
| The transport and optical sensin... | 15 |
相關(guān)期刊
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| Journal Of Energy Storage | 8.9 | 2區(qū) |
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| Chemical Engineering Journal | 13.3 | 1區(qū) |
| International Journal Of Hydrogen Energy | 8.1 | 2區(qū) |
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