摘要：相比傳統(tǒng)的硅基電力電子器件,以碳化硅（Si C）和氮化鎵（Ga N）等寬禁帶半導(dǎo)體制備的新型電力電子器件憑借其優(yōu)異性能被認(rèn)為是可替代硅基器件的重要選擇?；谖墨I(xiàn)計(jì)量方法,本文通過分析新型電力電子器件領(lǐng)域在1990—2017年間發(fā)表的科技論文,發(fā)現(xiàn)該領(lǐng)域的發(fā)展態(tài)勢(shì)主要表現(xiàn)以下特征：一是該領(lǐng)域的發(fā)文量至今保持穩(wěn)定增長(zhǎng)趨勢(shì),目前仍是全球科學(xué)家重點(diǎn)關(guān)注的研究方向;二是該領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)包括了關(guān)鍵材料生長(zhǎng)制備的基礎(chǔ)研究與核心器件創(chuàng)新應(yīng)用兩方面;三是全球國(guó)家/機(jī)構(gòu)合作網(wǎng)絡(luò)呈現(xiàn)出明顯的區(qū)域合作特點(diǎn),美日歐在該領(lǐng)域的科研實(shí)力處于領(lǐng)先地位,而中國(guó)大陸雖然研究規(guī)模不斷變大,但整體質(zhì)量與領(lǐng)先國(guó)家仍存在一定差距。針對(duì)國(guó)內(nèi)外在該領(lǐng)域的發(fā)展態(tài)勢(shì),我國(guó)應(yīng)不斷加強(qiáng)核心技術(shù)攻關(guān)、強(qiáng)化高水平創(chuàng)新主體建設(shè)和形成多元化的研究合作機(jī)制,以此加快推動(dòng)國(guó)內(nèi)新型電力電子器件領(lǐng)域的發(fā)展。