一種低功耗曲率補償帶隙基準電壓源
作者：侯德權; 周莉; 陳敏; 肖璟博; 張成彬; 陳杰 中國科學院微電子研究所; 北京100029; 中國科學院大學; 北京100049
摘要：設計了一種低功耗曲率補償帶隙基準電壓源。利用亞閾值MOS管差分對,產(chǎn)生曲率補償電流,對輸出基準電壓進行曲率補償。采用低功耗運放來增強基準電壓源的電源抑制能力,同時降低基準電壓源的功耗。采用SMIC 0.18μm混合信號CMOS工藝進行設計。仿真結(jié)果表明,在1.5V電源電壓下,基準電壓源的輸出基準電壓為1.224V,在-40℃~125℃范圍內(nèi)的溫度系數(shù)為1.440×10-6/℃~4.076×10-6/℃,電源抑制比為-77.58dB,消耗電流為225.54nA。
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微電子學雜志
微電子學雜志， 雙月刊，本刊重視學術導向，堅持科學性、學術性、先進性、創(chuàng)新性，刊載內(nèi)容涉及的欄目：電路與系統(tǒng)設計、半導體器件與工藝、產(chǎn)品與可靠性、測試與封裝等。于1971年經(jīng)新聞總署批準的正規(guī)刊物。
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