基于Sentaurus的SiC肖特基二極管模擬研究
作者：劉乃生; 苑龍軍 濰坊學(xué)院; 山東濰坊261061; 山東工業(yè)技師學(xué)院; 山東濰坊261053
摘要：基于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅材料,設(shè)計(jì)了一款4H-SiC基肖特基二極管,并利用Sentaurus模擬器對器件的正向特性和反向擊穿特性進(jìn)行了模擬研究。一方面介紹了Sentaurus模擬器在本文模擬中應(yīng)著重解決的器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及網(wǎng)格優(yōu)化問題,另一方面,模擬結(jié)果表明設(shè)計(jì)的4H-SiC肖特基二極管正向開啟電壓達(dá)到2.24V,反向擊穿電壓達(dá)到1278V,反向擊穿電流達(dá)到12A。因此,碳化硅材料在肖特基二極管制造領(lǐng)域?qū)⒕哂袠O大的應(yīng)用潛力及優(yōu)勢。
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