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首頁 > 期刊 > 濰坊學院學報 > 不同載流子輸運模型對GaN IMPATT二極管直流特性的影響研究 【正文】

不同載流子輸運模型對GaN IMPATT二極管直流特性的影響研究

作者：李秀圣 濰坊學院; 山東濰坊261061

摘要：本文利用氮化鎵半導體,設計了傳統(tǒng)的高-低結構的碰撞電離雪崩渡越時間(IMPATT)二極管,并利用漂移-擴散輸運模型和流體動力學輸運模型,在Sentaurus模擬器中對器件的直流特性進行了模擬研究。通過對比研究,發(fā)現(xiàn)漂移-擴散模型過高估計了器件內部載流子的碰撞電離率,而流體動力學模型更能精確的揭示器件內部載流子的電離過程。

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濰坊學院學報雜志， 雙月刊，本刊重視學術導向，堅持科學性、學術性、先進性、創(chuàng)新性，刊載內容涉及的欄目：山東半島經濟與社會發(fā)展研究、莫言文學研究、北海文化研究、經濟·管理、法律、文學·語言·藝術、歷史、高等教育與教學、特殊教育、書評等。于2001年經新聞總署批準的正規(guī)刊物。

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