CMOS抗輻射加固集成電路單粒子效應仿真研究進展
作者：趙元富; 王亮; 舒磊; 劉家齊; 劉琳; 岳素格; 李同德; 李園; 顧問 北京微電子技術研究所; 北京100076; 哈爾濱工業(yè)大學航天學院; 哈爾濱150001; 北京工業(yè)大學微電子學院; 北京100124
摘要：以CMOS存儲單元為研究對象，介紹了仿真在CMOS抗輻射加固集成電路單粒子效應機理及電路抗單粒子加固設計方面的研究進展，討論了特征尺寸的縮小對單粒子輻射效應的影響，提出了利用交叉隔離和錯誤猝熄的方法改進傳統(tǒng)存儲單元的加固性能，并通過試驗驗證了該方法的有效性。
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現(xiàn)代應用物理雜志
現(xiàn)代應用物理雜志， 季刊，本刊重視學術導向，堅持科學性、學術性、先進性、創(chuàng)新性，刊載內容涉及的欄目：物理量的定義和測量的假設選擇、理論數(shù)學、理論與實驗等。于2010年經(jīng)新聞總署批準的正規(guī)刊物。
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