《Microelectronics Reliability》雜志目前處于幾區(qū)？
來(lái)源：優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-09-18 11:02:32 734人看過(guò)
《Microelectronics Reliability》雜志在中科院分區(qū)中的情況如下：大類學(xué)科：工程技術(shù)， 分區(qū)：4區(qū)； 小類學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程：電子與電氣， 分區(qū)：4區(qū)。
中科院分區(qū)決定了SCI期刊在學(xué)術(shù)界的地位和影響力，對(duì)科研人員和學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)具有重要的參考價(jià)值，具體如下：
對(duì)SCI期刊的評(píng)價(jià)：中科院分區(qū)通過(guò)將SCI期刊按照3年平均影響因子劃分為不同的等級(jí)，為科研人員和學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)提供了一個(gè)評(píng)估SCI期刊學(xué)術(shù)影響力的重要依據(jù)。分區(qū)越高，說(shuō)明該期刊在學(xué)科內(nèi)的學(xué)術(shù)影響力越大，發(fā)表的文章質(zhì)量越高。
對(duì)科研人員的成果評(píng)估：科研人員發(fā)表的論文所在的中科院分區(qū)，可以作為評(píng)估其研究成果質(zhì)量的一個(gè)指標(biāo)。
對(duì)科研資源的分配：中科院分區(qū)在科研資源分配方面也起到重要作用?？蒲袡C(jī)構(gòu)在制定科研政策、分配科研資源時(shí)，會(huì)參考中科院分區(qū)。
對(duì)科研人員投稿的指導(dǎo)：中科院分區(qū)為科研人員選擇投稿期刊提供了參考?？蒲腥藛T在選擇投稿期刊時(shí)，會(huì)參考中科院分區(qū)，以提高論文被接受的可能性，并增加研究成果的影響力。
《Microelectronics Reliability》雜志是一本專注于工程：電子與電氣領(lǐng)域的國(guó)際期刊，由Elsevier Ltd?出版，創(chuàng)刊于1964年，出版周期為Monthly。
《微電子可靠性》致力于傳播微電子設(shè)備、電路和系統(tǒng)可靠性的最新研究成果和相關(guān)信息，涵蓋材料、工藝和制造、設(shè)計(jì)、測(cè)試和操作等各個(gè)方面。該期刊涵蓋以下主題：測(cè)量、理解和分析；評(píng)估和預(yù)測(cè)；建模和仿真；方法和緩解。將可靠性與微電子工程其他重要領(lǐng)域（如設(shè)計(jì)、制造、集成、測(cè)試和現(xiàn)場(chǎng)操作）相結(jié)合的論文也將受到歡迎，并且特別鼓勵(lì)報(bào)告該領(lǐng)域和特定應(yīng)用領(lǐng)域案例研究的實(shí)踐論文。
大多數(shù)被接受的論文將以研究論文的形式發(fā)表，描述重大進(jìn)展和已完成的工作?；仡櫰毡楦信d趣的重要發(fā)展主題的論文可能會(huì)被接受作為評(píng)論論文發(fā)表。更初步的緊急通訊和關(guān)于當(dāng)前感興趣的已完成實(shí)踐工作的簡(jiǎn)短報(bào)告可能會(huì)被考慮作為研究筆記發(fā)表。所有投稿均需經(jīng)過(guò)該領(lǐng)域頂尖專家的同行評(píng)審。
《Microelectronics Reliability》雜志學(xué)術(shù)影響力具體如下：
在學(xué)術(shù)影響力方面，IF影響因子為1.6，顯示出其在工程：電子與電氣學(xué)領(lǐng)域的學(xué)術(shù)影響力和認(rèn)可度。
JCR分區(qū)：Q3
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)，在學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC中為Q3，排名：239 / 352，百分位：32.2%；NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY中為Q4，排名：113 / 140，百分位：19.6%；PHYSICS, APPLIED中為Q3，排名：131 / 179，百分位：27.1%；
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)，在學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC中為Q4，排名：272 / 354，百分位：23.31%；NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY中為Q4，排名：114 / 140，百分位：18.93%；PHYSICS, APPLIED中為Q4，排名：140 / 179，百分位：22.07%；
《Microelectronics Reliability》雜志的審稿周期預(yù)計(jì)為：平均審稿速度 較快,2-4周 約8.3周，投稿需滿足English撰寫(xiě)，期刊注重原創(chuàng)性與學(xué)術(shù)嚴(yán)謹(jǐn)性，明確拒絕抄襲或一稿多投，Gold OA占比：14.36%，這使得更多的研究人員能夠免費(fèi)獲取和引用這些高質(zhì)量的研究成果。
該雜志其他關(guān)鍵數(shù)據(jù)：
CiteScore分區(qū)（數(shù)據(jù)版本：2024年最新版）：3.3，進(jìn)一步證明了其學(xué)術(shù)貢獻(xiàn)和影響力。
H指數(shù)：80，年發(fā)文量：310篇
CiteScore分區(qū)（數(shù)據(jù)版本：2024年最新版）
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 3.3 | 0.394 | 0.801 |
|
名詞解釋：
CiteScore：衡量期刊所發(fā)表文獻(xiàn)的平均受引用次數(shù)。
SJR:SCImago 期刊等級(jí)衡量經(jīng)過(guò)加權(quán)后的期刊受引用次數(shù)。引用次數(shù)的加權(quán)值由施引期刊的學(xué)科領(lǐng)域和聲望 (SJR) 決定。
SNIP:每篇文章中來(lái)源出版物的標(biāo)準(zhǔn)化影響將實(shí)際受引用情況對(duì)照期刊所屬學(xué)科領(lǐng)域中預(yù)期的受引用情況進(jìn)行衡量。
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