《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》雜志的收稿范圍和要求是什么？
來源：優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-09-18 11:09:39 636人看過
《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》雜志收稿范圍涵蓋工程技術(shù)全領(lǐng)域，此刊是該細分領(lǐng)域中屬于非常不錯的SCI期刊，在行業(yè)細分領(lǐng)域中學(xué)術(shù)影響力較大，專業(yè)度認可很高，所以對原創(chuàng)文章要求創(chuàng)新性較高，如果您的文章質(zhì)量很高，可以嘗試。
平均審稿速度 9 Weeks ，影響因子指數(shù)2。
該期刊近期沒有被列入國際期刊預(yù)警名單，廣大學(xué)者值得一試。
具體收稿要求需聯(lián)系雜志社或者咨詢本站客服，在線客服團隊會及時為您答疑解惑，提供針對性的建議和解決方案。
出版商聯(lián)系方式：445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141
其他數(shù)據(jù)
| 是否OA開放訪問： | h-index： | 年文章數(shù)： |
| 開放 | 23 | 92 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影響因子（數(shù)據(jù)來源于搜索引擎）: | 開源占比（OA被引用占比）： |
| 97.60% | 2 | 0.97... |
| 研究類文章占比：文章 ÷（文章 + 綜述） | 期刊收錄： | 中科院《國際期刊預(yù)警名單（試行）》名單： |
| 98.91% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子)：
歷年引文指標和發(fā)文量：
歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù)：
歷年自引數(shù)據(jù)：
發(fā)文統(tǒng)計
2023-2024國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計：
| 國家/地區(qū) | 數(shù)量 |
| CHINA MAINLAND | 168 |
| USA | 99 |
| Taiwan | 98 |
| South Korea | 74 |
| Japan | 61 |
| India | 40 |
| France | 29 |
| GERMANY (FED REP GER) | 27 |
| Switzerland | 23 |
| Belgium | 20 |
2023-2024機構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計：
| 機構(gòu) | 數(shù)量 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UN... | 35 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... | 22 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 20 |
| ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE ... | 18 |
| NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY | 17 |
| UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE... | 17 |
| NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY | 15 |
| SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) | 15 |
| SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNO... | 15 |
| PEKING UNIVERSITY | 14 |
近年引用統(tǒng)計：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 499 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 445 |
| APPL PHYS LETT | 311 |
| J APPL PHYS | 180 |
| SOLID STATE ELECTRON | 105 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 75 |
| JPN J APPL PHYS | 73 |
| NANO LETT | 64 |
| IEEE J SOLID-ST CIRC | 58 |
| NATURE | 53 |
近年被引用統(tǒng)計：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 140 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 75 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 59 |
| SEMICOND SCI TECH | 36 |
| IEEE ACCESS | 29 |
| JPN J APPL PHYS | 27 |
| SOLID STATE ELECTRON | 22 |
| APPL PHYS LETT | 20 |
| MICROMACHINES-BASEL | 20 |
| J APPL PHYS | 18 |
近年文章引用統(tǒng)計：
| 文章名稱 | 數(shù)量 |
| FinFET Versus Gate-All-Around Na... | 21 |
| Characterization and Compact Mod... | 19 |
| Characterization and Modeling of... | 14 |
| Cryogenic Temperature Characteri... | 11 |
| Hysteresis Reduction in Negative... | 11 |
| Tunneling Transistors Based on M... | 11 |
| Direct Correlation of Ferroelect... | 10 |
| Ferroelectric HfO2 Tunnel Juncti... | 10 |
| Development and Fabrication of A... | 10 |
| Experimental Investigations of S... | 10 |
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