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《Microelectronics Journal》雜志好發(fā)表嗎?

來源:優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-09-18 10:49:27 1011人看過

《Microelectronics Journal》雜志是一本專注于工程技術(shù)領(lǐng)域的期刊,發(fā)表難度因多種因素而異,以下是具體分析:

《微電子學(xué)雜志》自 1969 年創(chuàng)刊以來,是一個(gè)傳播微電子系統(tǒng)、電路和新興技術(shù)研究和應(yīng)用的國際論壇?!段㈦娮訉W(xué)雜志》上發(fā)表的論文都經(jīng)過同行評審,以確保其原創(chuàng)性、相關(guān)性和時(shí)效性。因此,該雜志提供了有關(guān)微電子電路和系統(tǒng)的全球定期全面更新。

《微電子學(xué)雜志》誠邀撰寫描述以下所有領(lǐng)域重要研究和應(yīng)用的論文。涵蓋最新發(fā)展的綜合評論/調(diào)查論文也將予以考慮。《微電子學(xué)雜志》涵蓋電路和系統(tǒng)。該主題包括但不限于:模擬、數(shù)字、混合和射頻電路及相關(guān)設(shè)計(jì)方法;邏輯、架構(gòu)和系統(tǒng)級(jí)綜合;測試、可測試性設(shè)計(jì)、內(nèi)置自測試;面積、功率和熱分析與設(shè)計(jì);混合域仿真與設(shè)計(jì);嵌入式系統(tǒng);非馮諾依曼計(jì)算及相關(guān)技術(shù)和電路;高復(fù)雜度系統(tǒng)集成的設(shè)計(jì)和測試; SoC、NoC、SIP 和 NIP 設(shè)計(jì)和測試;3-D 集成設(shè)計(jì)和分析;新興器件技術(shù)和電路,如 FinFET、SET、自旋電子學(xué)、SFQ、MTJ 等。

也歡迎應(yīng)用方面,例如信號(hào)和圖像處理(包括密碼電路)、傳感器和執(zhí)行器(包括傳感器網(wǎng)絡(luò))、可靠性和質(zhì)量問題以及經(jīng)濟(jì)模型。

發(fā)表難度

影響因子與分區(qū):《Microelectronics Journal》雜志的影響因子為1.9,屬于JCR分區(qū)Q3區(qū),中科院分區(qū)中大類學(xué)科工程技術(shù)為3區(qū), 小類學(xué)科ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程:電子與電氣為3區(qū),較高的影響因子和較好的分區(qū)表明其在學(xué)術(shù)界具有較高的影響力和認(rèn)可度,因此對稿件的質(zhì)量要求也相對較高,發(fā)表難度較大。

歷年IF值(影響因子):

WOS分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2023-2024年最新版)

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 211 / 352

40.2%

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 110 / 140

21.8%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 238 / 354

32.91%

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 94 / 140

33.21%

名詞解釋:
WOS即Web of Science,是全球獲取學(xué)術(shù)信息的重要數(shù)據(jù)庫,Web of Science包括自然科學(xué)、社會(huì)科學(xué)、藝術(shù)與人文領(lǐng)域的信息,來自全世界近9,000種最負(fù)盛名的高影響力研究期刊及12,000多種學(xué)術(shù)會(huì)議多學(xué)科內(nèi)容。給期刊分區(qū)時(shí)會(huì)按照某一個(gè)學(xué)科領(lǐng)域劃分,根據(jù)這一學(xué)科所有按照影響因子數(shù)值降序排名,然后平均分成4等份,期刊影響因子值高的就會(huì)在高分區(qū)中,最后的劃分結(jié)果分別是Q1,Q2,Q3,Q4,Q1代表質(zhì)量最高。

審稿周期預(yù)計(jì):平均審稿速度 約3.0個(gè)月 ,審稿周期也體現(xiàn)了編輯部對稿件質(zhì)量的嚴(yán)格把關(guān)。

發(fā)表建議

提高稿件質(zhì)量:確保研究內(nèi)容具有創(chuàng)新性和學(xué)術(shù)價(jià)值,語言表達(dá)清晰準(zhǔn)確,符合雜志工程:電子與電氣的格式和要求。

提前準(zhǔn)備:根據(jù)審稿周期,建議作者提前規(guī)劃好研究和寫作進(jìn)度,以便有足夠的時(shí)間進(jìn)行修改和補(bǔ)充。同時(shí),可以關(guān)注《Microelectronics Journal》雜志的約稿信息,如果能夠獲得約稿機(jī)會(huì),發(fā)表的可能性會(huì)更大。

聲明:以上內(nèi)容來源于互聯(lián)網(wǎng)公開資料,如有不準(zhǔn)確之處,請聯(lián)系我們進(jìn)行修改。

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