《Journal Of Semiconductor Technology And Science》雜志的收稿范圍和要求是什么？
來(lái)源：優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-09-18 11:07:12 838人看過(guò)
《Journal Of Semiconductor Technology And Science》雜志收稿范圍涵蓋工程技術(shù)全領(lǐng)域，此刊是該細(xì)分領(lǐng)域中屬于非常不錯(cuò)的SCI期刊，在行業(yè)細(xì)分領(lǐng)域中學(xué)術(shù)影響力較大，專業(yè)度認(rèn)可很高，所以對(duì)原創(chuàng)文章要求創(chuàng)新性較高，如果您的文章質(zhì)量很高，可以嘗試。
平均審稿速度 較慢,6-12周 ，影響因子指數(shù)0.5。
該期刊近期沒(méi)有被列入國(guó)際期刊預(yù)警名單，廣大學(xué)者值得一試。
具體收稿要求需聯(lián)系雜志社或者咨詢本站客服，在線客服團(tuán)隊(duì)會(huì)及時(shí)為您答疑解惑，提供針對(duì)性的建議和解決方案。
出版商聯(lián)系方式：RM #907 SCIENCE & TECHNOLOGY NEW BLDG, 635-4 YUCKSAM-DONG, SEOUL, SOUTH KOREA, KANGNAM-KU, 135-703
其他數(shù)據(jù)
| 是否OA開(kāi)放訪問(wèn)： | h-index： | 年文章數(shù)： |
| 未開(kāi)放 | 15 | 37 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影響因子（數(shù)據(jù)來(lái)源于搜索引擎）: | 開(kāi)源占比（OA被引用占比）： |
| 0.00% | 0.5 | 0 |
| 研究類文章占比：文章 ÷（文章 + 綜述） | 期刊收錄： | 中科院《國(guó)際期刊預(yù)警名單（試行）》名單： |
| 97.30% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子)：
歷年引文指標(biāo)和發(fā)文量：
歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù)：
歷年自引數(shù)據(jù)：
發(fā)文統(tǒng)計(jì)
2023-2024國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)：
| 國(guó)家/地區(qū) | 數(shù)量 |
| South Korea | 220 |
| CHINA MAINLAND | 14 |
| USA | 8 |
| India | 5 |
| Japan | 3 |
| Taiwan | 3 |
| Vietnam | 3 |
| England | 1 |
| Indonesia | 1 |
| Iran | 1 |
2023-2024機(jī)構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)：
| 機(jī)構(gòu) | 數(shù)量 |
| HANYANG UNIVERSITY | 24 |
| HONGIK UNIVERSITY | 21 |
| SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU) | 17 |
| KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIE... | 15 |
| CHUNGNAM NATIONAL UNIVERSITY | 14 |
| KWANGWOON UNIVERSITY | 14 |
| SAMSUNG | 14 |
| EWHA WOMANS UNIVERSITY | 12 |
| SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY (SKKU) | 12 |
| SOGANG UNIVERSITY | 10 |
近年引用統(tǒng)計(jì)：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE J SOLID-ST CIRC | 114 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 63 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 45 |
| IEEE T CIRCUITS-I | 45 |
| APPL PHYS LETT | 43 |
| PHYS REV B | 33 |
| J APPL PHYS | 30 |
| IEEE T CIRCUITS-II | 29 |
| J SEMICOND TECH SCI | 26 |
| IEEE T VLSI SYST | 16 |
近年被引用統(tǒng)計(jì)：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| J SEMICOND TECH SCI | 26 |
| J NANOSCI NANOTECHNO | 24 |
| MICROMACHINES-BASEL | 17 |
| IEEE ACCESS | 13 |
| ELECTRONICS-SWITZ | 8 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 8 |
| MATER RES EXPRESS | 7 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 6 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 6 |
| JPN J APPL PHYS | 6 |
近年文章引用統(tǒng)計(jì)：
| 文章名稱 | 數(shù)量 |
| A 4-Channel 8-Gb/s/ch VCSEL Driv... | 4 |
| A Watt-level Broadband Power Amp... | 4 |
| A 3-Gb/s Equalizer with an Adapt... | 4 |
| Gallium Nitride PIN Avalanche Ph... | 3 |
| Processing and Characterization ... | 3 |
| Investigation on Phase-change Sy... | 3 |
| Properties of Resistive Switchin... | 3 |
| Xenon Flash Lamp Annealing on a-... | 3 |
| Recessed AlGaN/GaN UV Phototrans... | 2 |
| Investigation of Wafer Warpage I... | 2 |
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